GaAs（砷化鎵）等化合物半導(dǎo)體用于高頻器件。使用現(xiàn)有的金剛石刀片對(duì)化合物半導(dǎo)體進(jìn)行刀片切割時(shí)，進(jìn)給速度慢，難以獲得高生產(chǎn)率。隨著高度集成化的趨勢(shì)，基于SiP（System in Package）等技術(shù)的高強(qiáng)度薄芯片制造技術(shù)已成為必要。然而，使用刀片切割，隨著晶片厚度變薄，切割難度增加。

應(yīng)用于高速邏輯元器件絕緣膜的Low-k膜，因其機(jī)械強(qiáng)度低，若使用普通的刀片進(jìn)行切割加工，會(huì)發(fā)生Low-k膜剝落的風(fēng)險(xiǎn)。這種通過(guò)激光去除Low-k膜以及相應(yīng)配線(xiàn)層的加工，就是激光開(kāi)槽工藝。

隱形切割是將激光聚光于工件內(nèi)部，在工件內(nèi)部形成改質(zhì)層，通過(guò)擴(kuò)展膠膜等方法將工件分割成芯片的切割方法。